Научные направления

Электронное и атомное строение материалов в конденсированном состоянии, нанокомпозитов и наноструктур

Исследуемые нами гетероструктуры на основе AIIIBV с квантовыми точками и квантовыми ямами изготавливаются в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, с которым мы имеем многолетние тесные научные контакты и совместные публикации


Моделирование зонной структуры, плотности состояний, рентгеновских, фотоэлектронных и оптических спектров наноразмерных структур

Методы моделирования: модернизированный метод ортогонализованных плоских волн (МОПВ), метод линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО), пленочный метод линеаризованных присоединенных плоских волн (ЛППВ).

Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
Зонная структура клатрата кремния Si46
Фотоэлектронные спектры кластеров Si16,
рассчитанные методом ЛППВ

Исследования оптических и электрофизических свойств полупроводниковых наноматериалов и гетероструктур с квантовыми точками

Спектры фотолюминесценции пористого кремния с внедренными наночастицами металлов: железа, кобальта и никеля (Получены в ЦКП МГУ под рук. проф. Тимошенко В.Ю.)
Спектры фотолюминесценции (Т=77 К) от гетероструктур с квантовыми точками InP, покрытыми нанослоем InGaP

Cенсорные свойства нанослоев широкозонных полупроводниковых оксидов

Нанослои и различные наноформы широкозонных полупроводниковых оксидов SnO2, ZnO, In2O3 и др. широко используются в различных областях техники в т.ч. в солнечных батареях, прозрачных проводящих электродах и др. Особый интерес представляют газочувствительные свойства этих объектов. Принцип действия сенсоров состоит в изменении сопротивления полупроводникового чувствительного слоя под адсорбционным воздействием тех или иных газов.

Конструкция полупроводникового газового сенсора, изготовленного по технологии микроэлектроники в планарном корпусе микросхемы. Газочувствительный слой SnO2 расположен в центре кремниевого кристалла на тонкой SiO2 мембране (технология анизотропного травления)