Научные направления
Электронное и атомное строение материалов в конденсированном состоянии, нанокомпозитов и наноструктур
Исследуемые нами гетероструктуры на основе AIIIBV с квантовыми точками и квантовыми ямами изготавливаются в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, с которым мы имеем многолетние тесные научные контакты и совместные публикации
Моделирование зонной структуры, плотности состояний, рентгеновских, фотоэлектронных и оптических спектров наноразмерных структур
Методы моделирования: модернизированный метод ортогонализованных плоских волн (МОПВ), метод линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО), пленочный метод линеаризованных присоединенных плоских волн (ЛППВ).
рассчитанные методом ЛППВ
Исследования оптических и электрофизических свойств полупроводниковых наноматериалов и гетероструктур с квантовыми точками
Cенсорные свойства нанослоев широкозонных полупроводниковых оксидов
Нанослои и различные наноформы широкозонных полупроводниковых оксидов SnO2, ZnO, In2O3 и др. широко используются в различных областях техники в т.ч. в солнечных батареях, прозрачных проводящих электродах и др. Особый интерес представляют газочувствительные свойства этих объектов. Принцип действия сенсоров состоит в изменении сопротивления полупроводникового чувствительного слоя под адсорбционным воздействием тех или иных газов.
Конструкция полупроводникового газового сенсора, изготовленного по технологии микроэлектроники в планарном корпусе микросхемы. Газочувствительный слой SnO2 расположен в центре кремниевого кристалла на тонкой SiO2 мембране (технология анизотропного травления)