ФизФак

Физические основы твердотельной электроники

В курсе рассмотрены физические основы работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n переходы, так и явления, связанные с эффектом поля.

В первой части курса в кратком виде представлены основные сведения из физики твердого тела и из физики полупроводников. Эти сведения в дальнейшем необходимы при усвоении основного материала курса. Во второй и третьей части излагаются физические основы, связанные с контактными явлениями в барьерах Шоттки, электронно-дырочных переходах и гетеропереходах, а также основы физики поверхности полупроводников и МДП-структур. Четвертая и пятая части посвящены анализу физических основ работы полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов. Шестая часть посвящена анализу работы полевых транзисторов. Седьмая часть посвящена приборам с отрицательным дифференциальным сопротивлением – тиристорам.

Особенность данного курса заключается в том, что при обсуждении физических принципов работы и параметров приборов, наряду с идеализированными характеристиками, рассматриваются справочные данные, которые показывают реальные характеристики того или иного вида приборов.

В рамках курса студенты моделируют различные приборы в пакете программ APSYS компании Crosslight, что улучшают качество представляемого материала и позволяет студентам более ясно понять основные физические процессы, которые происходят в приборах твердотельной электроники.